第一步：薄膜工艺。对圆晶表面的氧化会形成一层保护薄膜，它可作为掺杂的阻挡层。这层二氧化硅膜称为场氧化层。
第二步：图形化工艺。通过光刻、刻蚀、去胶工艺，在场氧化层上开凹孔以定义晶体管的源极、栅极和漏极的特定位置。
第三步：薄膜工艺。接下来，晶圆将经过二氧化硅氧化反应加工。圆晶暴露的硅表面会生长一层氧化薄膜。它可作为栅极氧化层。
第四步：薄膜工艺。这一步，晶圆上沉积一层多硅作为栅极构造。
第五步：图形化工艺，通过光刻工艺，在氧化层/多晶硅层按电路图形刻蚀两个开口，他们定义了晶体管的源极和漏极区域。
第六步：掺杂工艺。掺杂加工用于在源极和漏极区形成N层。
第七步：薄膜工艺。在源极和漏极区域生长一层氧化膜。
第八步： 图形化工艺。通过光刻、刻蚀和去胶工艺，分别在源极、栅极和漏极区域刻蚀形成的孔，称为接触孔。
第九步：薄膜工艺。在整个圆晶的表面沉积一层导电金属，该金属通常是铝的合金。
第十步：图形化工艺。通过光刻、刻蚀和去胶工艺，晶圆表面金属镀层在芯片和划片线上的部分按照电路图除去。金属膜剩下的部分将芯片的每个元件准确无误地按照设计要求互相连接起来。
第十一步：热处理工艺。紧随金属刻蚀加工后，晶圆将在氮气环境下经历加热工艺。此步加工的目的是使金属与源、漏、栅极进一步融合以获得更好的电性接触链接。
第十二步：薄膜工艺。芯片器件上的最后一层是保护层，通常称为防刮层或钝化层。它的用途是使芯片表面的元件在电测、封装及使用时得到保护。
第十三步：图形化工艺。通过光刻、刻蚀和去胶工艺，在整个工艺加工序列的最后一步蚀将位于芯片周边金属引线压点上的钝化层刻蚀掉。这一步称为压点掩膜。
