单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。
本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。
P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。
N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。
载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
普通的二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。
正向导通压降：硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。
PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。
PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。
反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。
二极管反偏电压增大到一定值时，反向电流突然增大的现象称为反向击穿。
反向击穿的主要原因是有价电子碰撞电离而发生的“雪崩击穿”。
稳压二极管的特性：常工作时处在PN结的反向击穿区。
稳压管的参数：稳定电压、稳定电流、额定功耗、动态电阻、温度系数。
形成两个结：发射结和集电结；三个区域：发射区、集电区和基区。
所谓的放大：实质上是一种能量控制作用，通过晶体管这种有源元件对直流电源的能量进行控制，使负载从电源中获得的输出信号的能量比信号源向放大电路提供的能量大的多。放大的特征是功率放大。
极限参数：最大集电极耗散功率、最大集电极电流、极间反向击穿电压
确保被放大的交流输入信号能够作用于晶体管的输入回路；
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- 直流负载线：由*V*CC=*I*C*R*C\+*U*CE 确定的直线。
- 改变*R*b ：*Q*点将沿直流负载线上下移动。
- 改变*R*c ：*Q*点在*I*BQ所在的那条输出特性曲线上移动。
- 改变*V*CC：直流负载线平移，*Q*点发生移动。
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- 放大倍数
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- 输入电阻
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- 输出电阻
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- 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。
- 输入电阻高，输出电阻低。
- 应用：多级放大器的输入级、输出级、或作为两个共射极电路的中间级。
放大器的输出电压（或电流）经反馈网络在放大器输入端产生反馈信号，该反馈信号与放大器原来输入信号共同控制放大器的输入，即构成反馈放大器。
4．当AF＝-1时 ，Af →∞ 。放大器处于 “ 自激振荡”状态。
深负反馈的特征是：反馈信号Xf接近原输入信号Xi，使净输入Xid很小；此时，闭环增益Af只由反馈网络决定。
直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存在反馈则为交流反馈，交、直流通路
电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。（输出短路时反馈消失）
电流反馈：反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。（输出短路时反馈不消失）
并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。
串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。
（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。
（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升高用 + 表示，降低用 － 表示）。
（4）根据Xi 与Xf 的极性，确定净输入信号的大小。Xid 减小为负反馈；Xid 增大为正反馈。
·由于基本放大器与反馈网络在输出口的接法不同，取样信号可能是输出电压或输出电流；由于基本放大器与反馈网络在输入口的接法不同，求和信号也可能为电压或电流。因此有四种不同的反馈类型，表7-1给出了这四种类型的总结。
F
反馈网络可以看成是一个受控源。实现各类反馈的规律是：A、F两网络与负载在输出口并联实现电压取样；串联则实现电流取样。A、F两网络与源电流is在输入口并联形成电流求和；A、F两网络与源电压Vs在输入口串联形成电压求和。
电压取样负反馈使输出电阻减小；电流取样负反馈使输出电阻增大。
电流求和负反馈使输入电阻减小；电压求和负反馈使输入电阻增大。
两种出发点:基于反馈网络的放大;基于理想运放的方法.
第七章 集成运放及其应用
- 开环电压放大倍数 Aod→∞；
- 差模输入电阻 Rid→∞；
- 输出电阻 Ro→0；
- 共模抑制比KCMR→∞；
- 同相比例运算电路
- 反相求和运算电路
- 同相求和运算电路
- 加减运算电路
- 积分运算
- 微分运算
